在当今这个日新月异的时代，涡扇发动机被应用到航空，现今该技术我国处在什么水平？也在不断发展变化。今天，我将和大家探讨关于涡扇发动机被应用到航空，现今该技术我国处在什么水平？的今日更新，以期为大家带来新的启示。
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涡扇发动机被应用到航空，现今该技术我国处在什么水平？
2.CPU是如何制造出来的？
航空发动机作为航天火箭必须的东西，它是一个十分高精尖的产品，因此其技术垄断也是十分的严重的。各个大国虽然是掌握了一定的技术，但是他们无论如何都是不愿意向外去分享的，因此这是只有靠自己的技术积累才可以实现的技术。航空领域作为高端领域，其竞争自然需要样样技术皆是顶尖水平的，其实这就是一个水桶效应，无论是哪一个方面有了短板都会导致航空发动机水平的低下。今天就来科普一下一款重要的航空发动机-涡扇发动机，顺便聊一聊我国涡扇发动机的发展水平。
：什么是涡扇发动机
首先，先来了解一下什么是涡扇发动机。涡轮风扇发动机，又称?涡扇发动机?。是指由喷管喷射出的燃气与风扇排出的空气共同产生反作用推力的燃气涡轮发动机。由压气机、燃烧室、高压涡轮（驱动压气机）、低压涡轮（驱动风扇）和排气系统组成。其中前3部分称为?核心机?，由核心机流出的燃气中的可用能量，一部分用于带动低压涡轮以驱动风扇，一部分在喷管中用以加速喷出的燃气。涵道比与耗油率关系密切。20世纪50年代末出现的 代涡轮风扇发动机，涵道比、压气机增压比和涡轮前燃气温度都比较低。
第二：涡扇发动机的优势
涡扇发动机是现代最先进的航空发动机，那么它相对于前几代的涡桨发动机以及涡喷发动机有什么区别和优势，下面来介绍一下。首先，涡桨发动机的排气速度太低，推力有限，同时影响飞机提高飞行速度，因此必需提高喷气发动机的效率。其次，一般涡喷发动机的排气速度大多超过音速，而飞机大多数时候是在亚音速飞行。因此，片面地加大热功率，即加大涡轮前温度，会导致推进效率的下降。相比之下，涡扇发动机实际上就是涡轮喷气发动机的后方再增加了1-2级低压（低速）涡轮，这些涡轮带动一定数量的风扇，消耗掉一部分涡喷发动机（核心机）的燃气排气动能，从而进一步降低燃气排出速度。经过这样的改进之后，涡扇发动机就具有了以下几个优点：推力大、推进效率高、噪音低、燃油消耗率低，飞机航程远。然而，其缺点也是很明显的，那就是涡扇发动机风扇直径大，迎风面积大，因而阻力大，发动机结构复杂，设计难度大。
第三：我国涡扇发动机的发展水平
首先，航空发动机算是一个高精尖产品，技术垄断相当严重，而且难以在短时间内有较大进步，而且涡喷和涡扇发展到今天，已经非常成熟，短期内难以超越西方。但是，这并不代表我国在这方面发展缓慢，相反的我国在涡扇发动机研制上取得了长足进步，正逐步缩小与西方的差距，例如涡扇-18发动机。涡扇-18发动机，即WS-18型航空发动机。这被视为中国航发的又一里程碑，对我国军机，尤其是运输机和轰炸机摆脱多年来的"心脏病"有巨大作用。现阶段，我国大型运输机以搭载俄制进口航空发动机为主，过渡发动机采用国内自主研发的涡扇-18。随着研发、制造进度的推进，预计未来涡扇-20将成为我国各类型飞机的主力搭载发动机。
以上就是一些关于我国航空发动机发展现状的科普，欢迎补充。
CPU是如何制造出来的？
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中央处理器（CPU，central processing unit）作为计算机系统的运算和控制核心，是信息处理、程序运行的最终执行单元，是运算和处理数据的核心，又称为?微处理器?。现如今，对于 PC ，甚至手机而言，CPU的规格与 率甚至直接被用来衡量电脑及手机性能强弱重要指标。
CPU里面最重要的东西就是晶体管了，提高CPU的速度，最重要的就是提高单位面积里晶体管的数量，由于CPU实在太精密，里面组成了数目相当多的晶体管，早在多年前就只能通过光刻工艺来进行加工了。
晶体管可以在逻辑上直接理解为一个开关：如果您回忆起基本计算的时代，那就是一台计算机需要进行工作的全部。两种选择，开和关，对于机器来说即0和1，而这些开关能构建门电路，进而组合成复杂的大规模运算器，就成了CPU。
制造CPU的基本原料
沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。
制备单晶硅锭
单晶的意思是指原子在三维空间中呈现规则有序的排列结构，而单晶硅拥有?金刚石结构?，每个晶胞含有8个原子，其晶体结构十分稳定。
单晶硅的?金刚石?结构
通常单晶硅锭都是采用直拉法制备，在仍是液体状态的硅中加入一个籽晶，提供晶体生长的中心，通过适当的温度控制，就开始慢慢将晶体向上提升并且逐渐增大拉速，上升同时以一定速度绕提升轴旋转，以便将硅锭控制在所需直径内。这一步是通过熔化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。结束时，只要提升单晶硅炉温度，硅锭就会自动形成一个锥形尾部，制备就完成了，一次性产出的IC芯片更多。
制备好的单晶硅锭直径约在300mm左右，重约100kg。而目前全球范围内都在生产直径12寸的硅圆片，硅圆片尺寸越大，效益越高。
将制备好的单晶硅锭一头一尾切削掉，并且对其直径修整至目标直径，同时使用金刚石锯把硅锭切割成一片片厚薄均匀的晶圆（1mm）。有时候为了定出硅圆片的晶体学取向，并适应IC制作过程中的装卸需要，会在硅锭边缘切割出?取向平面?或?缺口?标记。
研磨硅圆片
切割后的晶圆其表面依然是不光滑的，需要经过仔细的研磨，减少切割时造成的表面凹凸不平，期间会用到特殊的化学液体清洗晶圆表面，最后进行抛光研磨处理，还可以在进行热处理，在硅圆片表面成为?无缺陷层?。一块块亮晶晶的硅圆片就这样被制作出来，装入特制固定盒中密封包装
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。
准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。
前工程?制作带有电路的芯片
涂抹光刻胶
买回来的硅圆片经过检查无破损后即可投入生产线上，前期可能还有各种成膜工艺，然后就进入到涂抹光刻胶环节。微影光刻工艺是一种图形影印技术，也是集成电路制造工艺中一项关键工艺。首先将光刻胶（感光性树脂）滴在硅晶圆片上，通过高速旋转均匀涂抹成光刻胶薄膜，并施加以适当的温度固化光刻胶薄膜。
光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料，可以在光照后发生化学性质的改变，这是整个工艺的基础。
光刻蚀
这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，光刻蚀过程是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕， 由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
就单项技术工艺来说，光刻工艺环节是最为复杂的，成本最为高昂的。因为光刻模板、透镜、光源共同决定了?印?在光刻胶上晶体管的尺寸大小。
将涂好光刻胶的晶圆放入步进重复曝光机的曝光装置中进行掩模图形的?复制?。掩模中有预先设计好的电路图案，紫外线透过掩模经过特制透镜折射后，在光刻胶层上形成掩模中的电路图案。一般来说在晶圆上得到的电路图案是掩模上的图案1/10、1/5、1/4，因此步进重复曝光机也称为?缩小投影曝光装置?。
一般来说，决定步进重复曝光机性能有两大要素：一个是光的波长，另一个是透镜的数值孔径。如果想要缩小晶圆上的晶体管尺寸，就需要寻找能合理使用的波长更短的光（EUV，极紫外线）和数值孔径更大的透镜(受透镜材质影响，有极限值）。
由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部 件。晶体管相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。
溶解光刻胶
对曝光后的晶圆进行显影处理。以正光刻胶为例，喷射强碱性显影液后，经紫外光照射的光刻胶会发生化学反应，在碱溶液作用下发生化学反应，溶解于显影液中，而未被照射到的光刻胶图形则会完整保留。显影完毕后，要对晶圆表面的进行冲洗，送入烘箱进行热处理，蒸发水分以及固化光刻胶。
蚀刻
将晶圆浸入内含蚀刻药剂的特制刻蚀槽内，可以溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不需要蚀刻的部分。期间施加超声振动，加速去除晶圆表面附着的杂质，防止刻蚀产物在晶圆表面停留造成刻蚀不均匀。
清除光刻胶
通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，去除所有光刻胶。此时就可以完成 层设计好的电路图案。
光刻胶
再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。由于现在的晶体管已经3D FinFET设计，不可能一次性就能制作出所需的图形，需要重复之前的步骤进行处理，中间还会有各种成膜工艺（绝缘膜、金属膜）参与到其中，以获得最终的3D晶体管。
在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区 域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
在特定的区域，有意识地导入特定杂质的过程称为?杂质扩散?。通过杂质扩散可以控制导电类型（P结、N结）之外，还可以用来控制杂质浓度以及分布。
现在一般采用离子注入法进行杂质扩散，在离子注入机中，将需要掺杂的导电性杂质导入电弧室，通过放电使其离子化，经过电场加速后，将数十到数千keV能量的离子束由晶圆表面注入。离子注入完毕后的晶圆还需要经过热处理，一方面利用热扩散原理进一步将杂质?压入?硅中，另一方面恢复晶格完整性，活化杂质电气特性。
离子注入法
离子注入法具有加工温度低，可均匀、大面积注入杂质，易于控制等优点，因此成为超大规模集成电路中 少的工艺。
清除光刻胶
完成离子注入后，可以清除掉选择性掺杂残留下来的光刻胶掩模。此时，单晶硅内部一小部分硅原子已经被替换成?杂质?元素，从而产生可自由电子或空穴。
左：硅原子结构；中：掺杂砷，多出自由电子；右：掺杂硼，形成电子空穴
而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
绝缘层处理
此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导体电极。
在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
沉淀铜层
利用溅射沉积法，在晶圆整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。最后在整个晶圆表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。
电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。
铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。
抛光
将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。
构建晶体管之间连接电路
经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成。剩下的就是如何将这些晶体管连接起来的问题了。同样是先形成一层铜层，然后光刻掩模、蚀刻开孔等精细操作，再沉积下一层铜层......，这样的工序反复进行多次，这要视乎芯片的晶体管规模、复制程度而定。最终形成极其复杂的多层连接电路网络。
金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看 起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。
后工程?从划片到成品销售
晶圆级测试
前工程与后工程之间，夹着一个Good-Chip/Wafer检测工程，简称G/W检测。目的在于检测每一块晶圆上制造的一个个芯片是否合格。通常会使用探针与IC的电极焊盘接触进行检测，传输预先编订的输入信号，检测IC输出端的信号是否正常，以此确认芯片是否合格。
由于目前IC制造广泛采用冗余度设计，即便是?不合格?芯片，也可以采用冗余单元置换成合格品，只需要使用激光切断预先设计好的熔断器即可。当然，芯片有着无法挽回的严重问题，将会被标记上丢弃标签。
内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受 次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
晶圆切片(Slicing)
IC内核在晶圆上制作完成并通过检测后后，就进入了划片阶段。划片使用的划刀是粘附有金刚石颗粒的极薄的圆片刀，其厚度仅为人类头发的1/3。将晶圆上的每一个IC芯片切划下来，形成一个内核Die。
裂片完成后还会对芯片进行外观检查，一旦有破损和伤痕就会抛弃，前期G/W检查时发现的瑕疵品也将一并去除。
晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核(Die)。
丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。
单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。
封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。
芯片进行检测完成后只能算是一个半成品，因为不能被消费者直接使用。还需要经过装片作业，将内核装配固定到基片电路上。装片作业全程由于计算机控制的自动固晶机进行精细化操作。
等级测试
CPU制造完成后，还会进行一次全面的测试。测试出每一颗芯片的稳定 率、功耗、发热，如果发现芯片内部有硬件性缺陷，将会做硬件屏蔽措施，因此划分出不同等级类型CPU，例如Core i7、i5、i3。这里说明一下，高中低档的cpu制作成本是一样的，只是最后测试时，性能高的就是高端，性能低的就是入门级。
装箱：根据等级测试结果将同样级别的处理器放在一起装运。
零售包装：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。
当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行 率不同，它们被放进不同的包装，销往 各地。
具体原因如下：
不同种类的芯片所面临的物理极限的挑战是不一样的，我们来分类看一下。
先来看3D-NAND芯片。NAND这个词在外行的看来比较陌生，但实际上离我们并不遥远，我们买的很多固态硬盘的核心存储芯片，就是3D-NAND芯片。
国产3D NAND芯片之所以落后，就是在于国产芯片的堆叠层数较低，目前国产芯片最高可以做到64层，而一线大厂，如三星、海力士、镁光等，已经可以做到128层及以上。叠加的层数越多，工艺制造上遭遇的难度与问题就会越大，电路搭错的几率就会越高。
3D NAND芯片的制造难度在于：在水平方向上，要解决增加图案密度的问题，以增加存储密度；在垂直方向上，又要解决高深宽比（HAR）刻蚀均匀性的问题。
实际上，在芯片研发与制造过程中，类似的例子数不胜数，新的工艺失效模型永远在颠覆着我们的认知，有的时候甚至会感叹这是一门玄学，我们要做的，就是不断地挑战微观控制的极限。
我们再来说一下逻辑芯片。我们日常接触的CPU芯片、显卡芯片都隶属于此范畴。逻辑芯片在器件上要解决的 问题就是，随着随着摩尔定律的推进以及尺寸的缩小，CMOS器件在某些电性能方面出现了衰退，这就需要新的器件设计。我在另一篇回答中对此有过科普性的讲解，这里就不重复介绍了。
比如，为了让尺寸缩小，分辨率更高，光刻工艺会采用浸没式光刻。所谓的浸没式，就是让光源与光刻胶之间使用水来充当光路介质，这就对光刻机台以及工艺提出更高的挑战。
尺寸的缩小不仅仅体现在图案的尺寸上，垂直方向上的薄膜高度的要求也越来越高。在这样的背景下，原子层沉积（ALD）技术被发明出来，这样在薄膜厚度上可以 地控制到只有几层原子的厚度。ALD可沉积任意层原子厚度的薄膜。
但是，工艺越先进，工艺缺陷与失败的几率也会增加，其原因，用业界术语来说，就是工艺的window在缩小。所谓的window，就是允许的工艺参数浮动的范围。在关键的步骤里，一旦工艺指标跑出了limit，芯片制造失败的风险就会大大增加。因此，越是先进的工艺，就越要保证工艺的稳定性。
而且，也会出现很多很“玄学”的现象。比如，在先进节点的dry etch工艺中，往往会出现”pitch walking“现象。pitch walking，是指芯片某一层图案的周期结构并没有按照掩膜版的设计呈现，而是出现了个别线条的挪动，它会导致图案的周期性受到破坏。
好了，今天关于“涡扇发动机被应用到航空，现今该技术我国处在什么水平？”的话题就讲到这里了。希望大家能够通过我的讲解对“涡扇发动机被应用到航空，现今该技术我国处在什么水平？”有更全面、深入的了解，并且能够在今后的学习中更好地运用所学知识。
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